鋁碳化硅數控加工機床

鋁碳化硅這種高端的陶瓷材料現在被越來越多的人知道，主要還是被用在電子芯片的封裝，目前用途逐漸的被開發出來，難點在于鋁碳化硅的數控加工上并沒有很好的辦法，鑫騰輝數控針對這種陶瓷材料的特性專門研制改進了陶瓷數控精雕機，在數控加工鋁碳化硅的加工速度上，和數控機床的使用壽命上都有了非常巨大的進步，鋁碳化硅數控加工機床陶瓷精雕機廠家聯系電話：139-234-13250。

機床特點：

?高強度機床結構，輕松應對各類硬質陶瓷的磨削。

?全密閉分區設計，陶瓷磨削加工區和電器組件區分離，更好清理更好保護機床。

?雙層防護，Y軸采用不銹鋼防護板以及風琴式防護罩雙層設計，有效防范陶瓷粉塵侵擾。

?轉角雙開門，安全門開啟角度更大，方面拿取工件。

機床功能：

自動換刀系統：本機可選裝自動換刀系統，該系統具備高速自動換刀功能，換刀速度快且刀庫容量大，能夠有效提升加工效率，節約人力成本。

24小時不間斷運行：TC650陶瓷精雕機系列機床，能夠實現24小時連續不間斷工作，充分利用每一分鐘，滿足用戶高負荷用機需求。

精密自動對刀：只需一鍵操作，即可完成刀具的自動對刀，方便快捷。

免編程打孔系統：自主研發的免編程打孔系統可以幫助用戶實現“傻瓜式”操作，無需通過CAD/CAM軟件編寫刀路，同時利用該系統還能實現對陶瓷材料的銑牙。

產品實拍圖：

陶瓷精雕機的應用：

      TC650陶瓷精雕機是一款專門針對特種陶瓷精密加工也研發的CNC數控機床。它主要的加工對象就是各類硬脆材料，如：氧化鋯、氧化鋁、碳化硅、氮化硅、氮化鋁、鎢鋼等等。這些材料目前主要應用于5G通訊、航空航天、石油化工、醫療器械、紡織配件、手機蓋板等多個領域。

5G濾波器

      5G濾波器一般是陶瓷介質，因此在生產這類濾波器的過程中就多了一道對陶瓷體的精密加工。這道加工工序離不開CNC機床，TC650陶瓷精雕機針對這道工序專門設計了一套高效快捷的“免編程”控制系統，大幅提升生產效率。

手機蓋板

       陶瓷手機蓋板是一種以氧化鋯為主要成分的陶瓷制品，它的硬度很高，要想對其進行加工就必須有一臺合適的機床。TC650陶瓷精雕機系列就是一款非常合適的設備。

結構陶瓷以及鎢鋼等

       結構陶瓷、功能陶瓷等陶瓷制品的種類繁多，他們的成分也根據產品的性能要求各有不同，加工時也要有不同的工藝，采用TC650陶瓷精雕機您一樣可以輕松搞掂。對于“鎢鋼”這類硬質合金的加工同樣可以采用該設備進行精密加工。

聯系方式：

東莞市望輝機械有限公司

聯系人：許先生

聯系電話：139 234 13250

廠址：東莞市大朗鎮犀牛陂村瓦窯街35號

網址：www.ikhodal.com

鋁碳化硅及其在電子封裝中的應用鋁碳化硅AlSiC (有的文獻英文縮略語寫為SiCp/ Al或Al/SiC、SiC/Al)是一種顆粒增強金屬基復合材料，采用Al合金作基體，按設計要求，以一定形式、比例和分布狀態，用SiC顆粒作增強體，構成有明顯界面的多組相復合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優越性能。AlSiC研發較早，理論描述較為完善， 有品種率先實現電子封裝材料的規模產業化，滿足半導體芯片集成度沿摩爾定律提高導致芯片發熱量急劇升高、使用壽命下降以及電子封裝的“輕薄微小”的發展需求。尤其在航空航天、微波集成電路、功率模塊、軍用射頻系統芯片等封裝方面作用極為凸現，成 為封裝材料應用開發的重要趨勢。
  1、封裝AlSiC特性

封裝金屬材料用作支撐和保護半導體芯片的金屬 底座與外殼，混合集成電路HIC的基片、底板、外 殼，構成導熱性能最好，總耗散功率提高到數十瓦, 全氣密封性，堅固牢靠的封裝結構，為芯片、HIC提 供一個高可靠穩定的工作環境，具體材料性能是個首 選關鍵問題。常用于封裝的電子金屬材料的主要特性

在長期使用中，許多封裝尺寸、外形都已標準 化、系列化，存在的主要缺陷是無法適應高性能芯片 封裝要求。例如，Kovar ( 一種Fe-Co-Vi合金)和Invar (一種Fe-Ni合金）的CTE低，與芯片材料相近， 但其K值差、密度高、剛度低，無法全面滿足電子 封裝小型化、高密度、熱量易散發的應用需求。合金 是由兩種或兩種以上的金屬元素或金屬與非金屬元素 所組成的金屬材料，具有其綜合的優勢性能。隨之發 展的 M080 Cu20、Cu/ Invar/Cu、Cu/ Mo/Cu 等合金 在熱傳導方面優于Kovar，但其比重大于Kovar，仍不適合用作航空航天所需輕質的器件封裝材料。

常用金屬封裝材料與CaAs芯片的微波器件封裝 需求存在性能上的差距，使得研發一種新型輕質金屬 封裝材料,滿足航空航天用器件封裝成為急需，引發 相關部門調試重視。經過近些年來的深入研究，AlSiC 取得產業化進展，相繼推動高硅鋁合金Si/Al實用化 進程，表2示出其主要性能與常用封裝材料的對比。將SiC與Al合金按一定比例和工藝結合成AlSiC后，可克服目前金屬封裝材料的不足，獲得高K值、低 CTE、高強度、低密度導電性好的封裝材料。

從產業化趨勢看，AlSiC可實現低成本的、無需進一步加工的凈成形(net-shape )或需少量加工的近凈成形制造，還能與高散熱材料（金剛石、高熱傳導石墨等）的經濟性并存集成，滿足大批量倒裝芯片封 裝、微波電路模塊、光電封裝所需材料的熱穩定性及散溫度均勻性要求，同時也是大功率晶體管、絕緣柵雙極晶體管的優選封裝材料，提供良好的熱循環及可靠性。
  2、封裝AlSiC類型

封裝金屬基復合材料的增強體有數種，SiC是其中應用最為廣泛的一種，這是因為它具有優良的熱性能，用作顆粒磨料技術成熟，價格相對較低；另一方 面，顆粒增強體材料具有各向同性，最有利于實現凈 成形。AlSiC特性主要取決于SiC的體積分數(含量) 及分布和粒度大小，以及Al合金成分。依據兩相比例或復合材料的熱處理狀態，可對材料熱物理與力學性能進行設計，從而滿足芯片封裝多方面的性能要求。其中，SiC體積分數尤為重要，實際應用時，AlSiC與 芯片或陶瓷基體直接接觸，要求CTE盡可能匹配，為 此SiC體積百分數vol通常為50%?75%,表3示出某廠家產業化凈成形AlSiC級別的詳細情況。

此外，AlSiC可將多種電子封裝材料并存集成， 用作封裝整體化，發展其他功能及用途。研制成功將高性能、散熱快的Cu基封裝材料塊（Cu-金剛石、Cu-石墨、Cu-BeO等）嵌人SiC預制件中，通過金屬Al 熔滲制作并存集成的封裝基片。在AlSiC并存集成過程中，可在最需要的部位設置這些昂貴的快速散熱材料，降低成本，擴大生產規模，嵌有快速散熱材料的AlSiC倒裝片系統正在接受測試和評估。另外，還可并存集成48號合金、Kovar和不銹鋼等材料，此類材料或插件、引線、密封環、基片等，在熔滲之前插入SiC預成形件內，在AlSiC復合成形過程中，經濟地完成并存集成，方便光電器件封裝的激光連接。
采用噴射沉積技術，制備了內部組織均勻、性能優良、Si含量髙達70wt% (重量百分率）的高硅鋁合金SiAl封裝材料，高硅鋁合金CE牌號的性能如表4所示，由于其CTE與Si、GaAs較匹配，也可用于射頻、微波電路的封裝及航空航天電子系統中，發 展為一種輕質金屬封裝材料。